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2024年中國IGBT行業(yè)市場發(fā)展現狀及未來發(fā)展前景及趨勢預測分析

IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)是電力電子領域中的一種重要器件,它的出現為現代工業(yè)裝置的高效、穩(wěn)定運行提供了有力保障。作為一種復合全控型電壓驅動式功率半導體器件,IGBT將雙極型三極管和絕緣柵型場效應管的優(yōu)點完美融合,從而賦予了其獨特的性能特點。

中國IGBT行業(yè)發(fā)展現狀

中國IGBT產量規(guī)模

近年來,中國IGBT行業(yè)獲得了各級政府的重點關注和大力扶持,這得益于國家產業(yè)政策的持續(xù)推動。政府相繼出臺了《關于鞏固回升向好趨勢加力振作工業(yè)經濟的通知》、《關于加快培育發(fā)展制造業(yè)優(yōu)質企業(yè)的指導意見》以及《基礎電子元器件產業(yè)發(fā)展行動計劃(2021-2023年)》等一系列政策,為IGBT行業(yè)的發(fā)展提供了清晰且充滿潛力的市場藍圖,同時也為企業(yè)創(chuàng)造了有利的經營條件。

IGBT作為我國科技突破的關鍵項目,已經在電機節(jié)能、軌道交通、新能源汽車等領域展現出其廣泛的應用價值。特別值得一提的是,IGBT在軌道交通領域已經取得了顯著的技術突破。而在新能源汽車領域,IGBT更是電控系統(tǒng)和直流充電樁不可或缺的核心組件。這些領域對IGBT的需求不斷增長,推動了我國IGBT產量的快速提升。

據中研普華產業(yè)研究院發(fā)布的《2024-2029年IGBT產業(yè)現狀及未來發(fā)展趨勢分析報告》顯示,2019年至2021年,我國IGBT行業(yè)的產量分別為1550萬只、2020萬只和2580萬只,呈現出穩(wěn)健的增長態(tài)勢。展望未來,隨著市場需求的持續(xù)擴大和技術的不斷進步,預計到2023年,我國IGBT的產量將增長至3624萬只,呈現出更加光明的行業(yè)發(fā)展前景。這些積極的跡象都表明,中國IGBT行業(yè)正迎來一個嶄新的發(fā)展階段,將為我國工業(yè)經濟的振興和發(fā)展注入強大的動力。

中國IGBT自給率走勢

近年來,為了推進功率半導體產業(yè),特別是IGBT產業(yè)的迅速崛起,我國政府部門不僅制定了一系列精準的政策措施,還在金融層面給予了全方位的支持。IGBT項目,作為國家級重點扶持項目,經過15年的不懈努力,終于在2021年取得了圓滿的成功。值得一提的是,IGBT的國產化進程在我國十四五規(guī)劃中占據了舉足輕重的地位,被視為關鍵半導體器件的發(fā)展重心。

在國家政策的精準引導和市場需求持續(xù)增長的雙重驅動下,眾多具備豐富科研經驗的IGBT技術人才紛紛選擇回國,為斯達半導、士蘭微、比亞迪、時代電氣等企業(yè)注入了新的活力。這些企業(yè)不僅掌握了IGBT的核心技術,還積極推動其國產化進程,以期望早日擺脫對進口IGBT產品的依賴,實現自主創(chuàng)新與自給自足。

IGBT作為我國科技突破的重點項目,自2015年以來,其自給率已逐步攀升至超過10%,展現出穩(wěn)健的增長態(tài)勢。據權威機構預測,到2023年,我國IGBT的自給率有望達到32.9%。在國家政策對核心元器件國產化的明確要求下,國產替代已經成為IGBT行業(yè)發(fā)展的必然趨勢,同時也是推動行業(yè)內企業(yè)不斷追求技術創(chuàng)新和進步的重要動力。

中國IGBT行業(yè)發(fā)展前景趨勢預測

1、國家政策的大力支持

《中華人民共和國國民經濟和社會發(fā)展第十四個五年規(guī)劃和2035年遠景目標綱要》不僅為我國“十四五”時期的發(fā)展提供了根本性政策指導,還明確了國家在未來發(fā)展中的戰(zhàn)略方向。針對關鍵核心技術領域,綱要提出了實施戰(zhàn)略性科學計劃和科學工程,旨在推動我國在人工智能、集成電路、生命健康等前沿領域取得重大突破。這些領域的進步,將為IGBT等功率半導體器件的應用提供更為廣闊的市場空間。

為了加速新型功率半導體器件行業(yè)的產業(yè)化進程,國家發(fā)改委等有關部門制定了一系列資金補貼計劃。這些計劃不僅為行業(yè)內的企業(yè)提供了資金支持,還鼓勵企業(yè)加大技術研發(fā)和創(chuàng)新力度,形成自主知識產權,優(yōu)化產品結構,提高國產功率半導體器件的競爭力。

2、新能源汽車市場的迅速擴張推動IGBT行業(yè)增長

隨著全球對環(huán)保和可持續(xù)發(fā)展的日益關注,新能源汽車市場呈現出迅猛的增長態(tài)勢。作為新能源汽車電機電控的核心組件,IGBT的需求量也在不斷增加。隨著大功率電動汽車的普及和技術的不斷進步,對IGBT的性能和可靠性要求也在不斷提高。這將進一步推動IGBT行業(yè)的發(fā)展和創(chuàng)新,為行業(yè)內的企業(yè)帶來更多的發(fā)展機遇。

3、國產替代助力IGBT行業(yè)實現自主創(chuàng)新

盡管我國IGBT等高技術、高附加值的新型功率器件產品的國產化程度仍然較低,但國家已經認識到這個問題的嚴重性,并出臺了一系列政策來推進產品國產化進程。這些政策不僅鼓勵國內企業(yè)加大技術研發(fā)和創(chuàng)新力度,還提供了資金支持和政策引導,幫助國內企業(yè)突破技術瓶頸,實現自主創(chuàng)新。目前,一些國內企業(yè)已經在IGBT技術研發(fā)方面取得了顯著成果,實現了部分相關產品的量產。隨著國產替代的深入推進,國內IGBT行業(yè)將有望實現更大的突破和發(fā)展。

4、IGBT行業(yè)投資前景廣闊

觀知海內咨詢發(fā)布的《2023年中國IGBT行業(yè)市場現狀及未來五年投資規(guī)劃分析報告》對IGBT行業(yè)的投資前景進行了深入分析和預測。報告認為,隨著新能源汽車市場的迅速擴張和國家對半導體產業(yè)的大力支持,IGBT行業(yè)的投資前景非常廣闊。投資者可以通過關注行業(yè)內具有技術創(chuàng)新能力和市場競爭力的企業(yè),以及具有發(fā)展?jié)摿Φ男屡d領域,來獲得更多的投資機會和收益。

更多IGBT行業(yè)深度分析,請點擊查看中研普華產業(yè)研究院發(fā)布的《2024-2029年IGBT產業(yè)現狀及未來發(fā)展趨勢分析報告》。


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