存儲產(chǎn)業(yè)最新進展分析：DNA數(shù)字存儲糾錯新算法、二維高性能浮柵晶體管存儲器

• 劉明月 2023年9月20日 來源：新華社 1382 91
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在國產(chǎn)替代的趨勢下，國內(nèi)廠商存儲器技術(shù)的逐漸成熟，國產(chǎn)品牌開始迅速壯大。目前我國外部存儲器市場上國產(chǎn)品牌已經(jīng)占據(jù)約 60%的市場份額。

存儲產(chǎn)業(yè)最新進展分析：DNA數(shù)字存儲糾錯新算法、二維高性能浮柵晶體管存儲器

我國科學(xué)家提出DNA數(shù)字存儲糾錯新算法

從中國農(nóng)業(yè)科學(xué)院獲悉，該院深圳農(nóng)業(yè)基因組研究所農(nóng)業(yè)基因組學(xué)技術(shù)研發(fā)與應(yīng)用創(chuàng)新團隊提出DNA數(shù)字存儲糾錯新算法，成功突破了冗余對糾錯能力的限制，將大幅提升DNA存儲糾錯能力。相關(guān)研究成果日前發(fā)表在我國學(xué)術(shù)期刊《國家科學(xué)評論》上。

我國科研團隊在二維高性能浮柵晶體管存儲器方面取得重要進展

從華中科技大學(xué)了解到，該校材料成形與模具技術(shù)全國重點實驗室教授翟天佑團隊在二維高性能浮柵晶體管存儲器方面取得重要進展，研制了一種具有邊緣接觸特征的新型二維浮柵晶體管器件，與現(xiàn)有商業(yè)閃存器件性能對比，其擦寫速度、循環(huán)壽命等關(guān)鍵性能均有提升，為發(fā)展高性能、高密度大容量存儲器件提供了新的思路。

中研研究院出版的《2023-2028年中國存儲器行業(yè)發(fā)展分析與投資前景預(yù)測報告》顯示

存儲器行業(yè)發(fā)展分析

在國產(chǎn)替代的趨勢下，國內(nèi)廠商存儲器技術(shù)的逐漸成熟，國產(chǎn)品牌開始迅速壯大。目前我國外部存儲器市場上國產(chǎn)品牌已經(jīng)占據(jù)約 60%的市場份額。其中，華為目前排名第一，市場占有率約為20%，Dell EMC 排名第二，市占率 14%，第三到六名分別是?？低?、IBM、曙光和浪潮。除此之外，主要的國內(nèi)廠商還包括：長江存儲、兆易創(chuàng)新、東芯半導(dǎo)體、江波龍等。

存儲設(shè)備作為我國集成電路產(chǎn)業(yè)中占比最大的領(lǐng)域之一，存儲設(shè)備勢必會在我國信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展中扮演極為重要的角色，而云計算、物聯(lián)網(wǎng)、大數(shù)據(jù)等領(lǐng)域的布局，集成電路相關(guān)政策的發(fā)布，更是為存儲設(shè)備產(chǎn)業(yè)發(fā)展奠定了存儲設(shè)備行業(yè)市場、政策等基礎(chǔ)。

存儲器產(chǎn)業(yè)環(huán)境方面，目前閃存(NAND Flash)和內(nèi)存(DRAM)市場主要被美韓日等國外幾家企業(yè)所壟斷，如韓國三星、海力士、美國鎂光、日本東芝等，其中國際DRAM市場中，三星連續(xù)10多年蟬聯(lián)世界第一，市占率維持在60%。從全球DRAM芯片市場銷售區(qū)域來看，中國是全球第二大DRAM消費市場，僅次于美國，市場前景較好。

DRAM是最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存，存儲速度快、存儲容量大，在計算機中常作為主存儲器。三星展出的14納米DDR5內(nèi)存，是業(yè)內(nèi)首款基于14納米EUV技術(shù)的DRAM產(chǎn)品，容量可達512GB。與普通DDR4相比，功耗降低20%，頻率可達7200MHz，能滿足超級計算機、機器學(xué)習(xí)、人工智能等方面的需求，并通過提高性能和降低功耗，滿足IT行業(yè)對綠色發(fā)展的要求。

2022年3月開始的相對高點之后，目前也處于下跌周期，周期長度與DRAM基本重合。代表性顆粒128\256\512GbTLCwafer價格均處于近兩年低谷，如512GbTLCWafer現(xiàn)貨目前平均價僅為1.40美金。我們預(yù)計，相比DRAM，NAND有望先迎來價格上行。

23Q3DRAM、NAND產(chǎn)品均價繼續(xù)下跌但跌幅預(yù)計減少，NANDFlashWafer產(chǎn)品均價有望上漲。對于短期內(nèi)DRAM和NAND芯片的價格變動，參考TrendForce對3Q23產(chǎn)品價格的預(yù)估：

①DRAM方面，受益于DRAM供應(yīng)商陸續(xù)啟動減產(chǎn)，以及季節(jié)性需求支撐減輕供應(yīng)商庫存壓力，預(yù)期23Q3DRAM均價跌幅將會收斂至0~5%，其中PCDRAM、ServerDRAM、MoblieDRAM、GraphicsDRAM、ConsumerDRAM的23Q3均價均預(yù)計環(huán)比下跌0~5%;

②NANDFlash方面，同樣受惠于原廠減產(chǎn)幅度持續(xù)擴大，與季節(jié)性旺季需求支撐，預(yù)估23Q3整體NANDFlash均價下跌收斂至3~8%，其中NANDFlashWafer均價預(yù)估將率先上漲，環(huán)比增長0~5%;

eMMC、UFS，其合約均價預(yù)計跌幅仍有約8~13%;EnterpriseSSD均價跌幅將收斂至5~10%;ClientSSD均價將環(huán)比下跌8~13%。

存儲器行業(yè)研究報告旨在從國家經(jīng)濟和產(chǎn)業(yè)發(fā)展的戰(zhàn)略入手，預(yù)測未來業(yè)務(wù)的市場前景，以幫助客戶撥開政策迷霧，尋找行業(yè)的投資商機。存儲器報告在大量的分析、預(yù)測的基礎(chǔ)上，研究了行業(yè)今后的發(fā)展與投資策略，為企業(yè)在激烈的存儲器市場競爭中洞察先機，根據(jù)市場需求及時調(diào)整經(jīng)營策略，為戰(zhàn)略投資者選擇恰當(dāng)?shù)耐顿Y時機和公司領(lǐng)導(dǎo)層做戰(zhàn)略規(guī)劃提供了準(zhǔn)確的市場情報信息及科學(xué)的決策依據(jù)。

更多存儲器行業(yè)發(fā)展前景預(yù)測，請關(guān)注中研研究院出版的《2023-2028年中國存儲器行業(yè)發(fā)展分析與投資前景預(yù)測報告》。

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