第一章 半導(dǎo)體材料相關(guān)知識(shí)介紹

1.1 半導(dǎo)體材料簡(jiǎn)介

1.1.1 半導(dǎo)體材料的定義

1.1.2 半導(dǎo)體材料分類(lèi)

1.1.3 常用半導(dǎo)體材料特性介紹

1.2 半導(dǎo)體材料制備工藝

1.2.1 半導(dǎo)體材料提純技術(shù)

1.2.2 半導(dǎo)體單晶制備工藝

1.2.3 半導(dǎo)體材料中雜質(zhì)和缺陷的控制

 

第二章 2011-2013年半導(dǎo)體材料行業(yè)分析

2.1 2010-2011年全球半導(dǎo)體材料行業(yè)回顧

2.1.1 2009年全球半導(dǎo)體材料市場(chǎng)概況

2.1.2 2010年半導(dǎo)體材料市場(chǎng)需求強(qiáng)勁反彈

2.1.3 2011年全球半導(dǎo)體材料市場(chǎng)營(yíng)收再創(chuàng)新高

2.2 2012-2013年中國(guó)半導(dǎo)體材料行業(yè)狀況

2.2.1 中國(guó)半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)日益壯大

2.2.2 國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體材料企業(yè)技術(shù)水平和服務(wù)能力迅速提升

2.2.3 國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備材料市場(chǎng)現(xiàn)狀

2.2.4 半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)受政策大力支持

2.3 2011-2013年國(guó)內(nèi)外半導(dǎo)體材料研發(fā)動(dòng)態(tài)

2.3.1 Intel公司研發(fā)半導(dǎo)體新材料取得重大突破

2.3.2 德國(guó)成功研制有機(jī)薄膜半導(dǎo)體新材料

2.3.3 國(guó)內(nèi)n型有機(jī)半導(dǎo)體材料研究獲新進(jìn)展

2.3.4 中科院與山東大學(xué)合作研究多功能有機(jī)半導(dǎo)體材料

2.4 半導(dǎo)體材料行業(yè)面臨的形勢(shì)及發(fā)展前景分析

2.4.1 市場(chǎng)需求推動(dòng)半導(dǎo)體材料創(chuàng)新進(jìn)程

2.4.2 國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體材料企業(yè)加快技術(shù)創(chuàng)新步伐

2.4.3 半導(dǎo)體材料未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)分析

2.4.4 中國(guó)半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)發(fā)展前景展望

2.4.5 中研普華對(duì)2014-2018年中國(guó)半導(dǎo)體材料行業(yè)發(fā)展預(yù)測(cè)

 

第三章 2011-2013年半導(dǎo)體硅材料產(chǎn)業(yè)分析

3.1 2011-2013年半導(dǎo)體硅材料行業(yè)概述

3.1.1 世界各國(guó)均重視半導(dǎo)體硅材料行業(yè)發(fā)展

3.1.2 國(guó)內(nèi)硅材料企業(yè)增強(qiáng)競(jìng)爭(zhēng)力需內(nèi)外兼修

3.1.3 發(fā)展我國(guó)高技術(shù)硅材料產(chǎn)業(yè)的建議

3.2 多晶硅

3.2.1 國(guó)際多晶硅產(chǎn)業(yè)概況

3.2.2 全球多晶硅產(chǎn)量狀況

3.2.3 中國(guó)多晶硅行業(yè)分析

3.2.4 國(guó)內(nèi)多晶硅市場(chǎng)現(xiàn)狀

3.2.5 中國(guó)應(yīng)重視多晶硅核心技術(shù)研發(fā)

3.2.6 國(guó)內(nèi)多晶硅行業(yè)將迎來(lái)整合浪潮

3.3 單晶硅

3.3.1 單晶硅的特性簡(jiǎn)介

3.3.2 國(guó)際單晶硅市場(chǎng)概況

3.3.3 中國(guó)單晶硅市場(chǎng)探析

3.3.4 國(guó)內(nèi)18英寸半導(dǎo)體級(jí)單晶硅棒投產(chǎn)

3.4 硅片

3.4.1 國(guó)際硅片市場(chǎng)概況

3.4.2 全球硅片價(jià)走勢(shì)分析

3.4.3 2011年全球硅片價(jià)格下滑

3.4.4 2012年全球硅片市場(chǎng)動(dòng)態(tài)

3.4.5 中國(guó)硅片市場(chǎng)發(fā)展解析

3.4.6 450mm硅片市場(chǎng)研發(fā)及投資潛力分析

3.5 半導(dǎo)體硅材料及其替代品發(fā)展前景分析

3.5.1 我國(guó)半導(dǎo)體硅材料行業(yè)發(fā)展機(jī)遇分析

3.5.2 各國(guó)企業(yè)積極研發(fā)替代硅的半導(dǎo)體材料

3.5.3 石墨納米帶可能取代硅材料位置

 

第四章 2011-2013年第二代半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)的發(fā)展

4.1 砷化鎵（GaAs）

4.1.1 砷化鎵材料簡(jiǎn)介

4.1.2 砷化鎵材料的主要特性

4.1.3 砷化鎵材料與硅材料特性對(duì)比研究

4.2 2011-2013年國(guó)內(nèi)外砷化鎵產(chǎn)業(yè)分析

4.2.1 砷化鎵材料產(chǎn)業(yè)的主要特點(diǎn)

4.2.2 國(guó)外砷化鎵材料技術(shù)研發(fā)概況

4.2.3 國(guó)內(nèi)砷化鎵材料產(chǎn)業(yè)狀況

4.2.4 國(guó)內(nèi)砷化鎵材料生產(chǎn)技術(shù)及發(fā)展趨勢(shì)

4.2.5 發(fā)展我國(guó)砷化鎵材料產(chǎn)業(yè)的建議

4.2.6 中國(guó)砷化鎵材料行業(yè)戰(zhàn)略思路

4.3 2011-2013年砷化鎵市場(chǎng)應(yīng)用及需求分析

4.3.1 砷化鎵應(yīng)用領(lǐng)域概述

4.3.2 砷化鎵在微電子領(lǐng)域的應(yīng)用分析

4.3.3 砷化鎵在光電子領(lǐng)域的應(yīng)用情況

4.3.4 砷化鎵在太陽(yáng)能電池行業(yè)的應(yīng)用與發(fā)展分析

4.3.5 GaAs單晶市場(chǎng)和應(yīng)用需求分析

4.3.6 砷化鎵市場(chǎng)展望

4.4 磷化銦（InP）

4.4.1 磷化銦材料概述

4.4.2 磷化銦商業(yè)化生產(chǎn)面臨難題

4.4.3 磷化銦材料應(yīng)用前景分析

 

第五章 2011-2013年第三代半導(dǎo)體材料市場(chǎng)運(yùn)行狀況

5.1 2011-2013年第三代半導(dǎo)體材料概述

5.1.1 第三代半導(dǎo)體材料發(fā)展概況

5.1.2 第三代半導(dǎo)體材料在LED產(chǎn)業(yè)中的發(fā)展和應(yīng)用

5.2 碳化硅（SiC）

5.2.1 SiC材料的性能及制備方法

5.2.2 國(guó)內(nèi)碳化硅晶片市場(chǎng)狀況

5.2.3 SiC半導(dǎo)體器件及其應(yīng)用情況

5.2.4 國(guó)內(nèi)外SiC器件研發(fā)新成果

5.3 氮化鎵（GaN）

5.3.1 GaN襯底技術(shù)新進(jìn)展及應(yīng)用

5.3.2 國(guó)內(nèi)非極性GaN材料研究取得重要進(jìn)展

5.3.3 GaN材料應(yīng)用市場(chǎng)前景看好

5.4 2011-2013年寬禁帶功率半導(dǎo)體器件發(fā)展分析

5.4.1 寬禁帶功率半導(dǎo)體器件概述

5.4.2 碳化硅功率器件發(fā)展分析

5.4.3 氮化鎵功率器件分析

5.4.4 寬禁帶半導(dǎo)體器件行業(yè)展望

 

第六章 2011-2013年半導(dǎo)體材料下游行業(yè)分析

6.1 半導(dǎo)體行業(yè)

6.1.1 2011年全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展?fàn)顩r

6.1.2 2012年中國(guó)半導(dǎo)體業(yè)發(fā)展?fàn)顩r

6.1.3 半導(dǎo)體行業(yè)需轉(zhuǎn)變經(jīng)營(yíng)模式

6.1.4 低碳經(jīng)濟(jì)助推半導(dǎo)體市場(chǎng)新一輪發(fā)展

6.1.5 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)對(duì)上游材料市場(chǎng)需求加大

6.2 半導(dǎo)體照明行業(yè)

6.2.1 國(guó)內(nèi)外半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)概況

6.2.2 中國(guó)半導(dǎo)體照明行業(yè)發(fā)展勢(shì)頭良好

6.2.3 中國(guó)半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)面臨的挑戰(zhàn)分析

6.2.4 上游原材料對(duì)半導(dǎo)體照明行業(yè)的影響分析

6.3 太陽(yáng)能光伏電池產(chǎn)業(yè)

6.3.1 中國(guó)光伏產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀

6.3.2 國(guó)內(nèi)光伏市場(chǎng)需求尚未開(kāi)啟

6.3.3 光伏產(chǎn)業(yè)理性發(fā)展分析

6.3.4 晶硅電池仍將是太陽(yáng)能光伏主流產(chǎn)品

6.3.5 多晶硅在太陽(yáng)能光伏行業(yè)的應(yīng)用前景分析

 

第七章 2011-2013年半導(dǎo)體材料行業(yè)重點(diǎn)企業(yè)分析

7.1 有研半導(dǎo)體材料股份有限公司

7.1.1 公司概況

7.1.2 2011年1-12月有研硅股經(jīng)營(yíng)狀況分析

7.1.3 2012年1-12月有研硅股經(jīng)營(yíng)狀況分析

7.1.4 2013年1-6月有研硅股經(jīng)營(yíng)狀況分析

7.2 天津中環(huán)半導(dǎo)體股份有限公司

7.2.1 公司概況

7.2.2 2011年1-12月中環(huán)股份經(jīng)營(yíng)狀況分析

7.2.3 2012年1-12月中環(huán)股份經(jīng)營(yíng)狀況分析

7.2.4 2013年1-6月中環(huán)股份經(jīng)營(yíng)狀況分析

7.3 峨眉半導(dǎo)體材料廠

7.3.1 公司概況

7.3.2 峨嵋半導(dǎo)體材料廠發(fā)展成就回顧

7.3.3 峨眉半導(dǎo)體廠走出品牌發(fā)展道路

7.3.4 峨眉半導(dǎo)體廠硅芯切割工藝實(shí)現(xiàn)突破

7.4 四川新光硅業(yè)科技有限責(zé)任公司

7.4.1 公司概況

7.4.2 新光硅業(yè)加大創(chuàng)新和管理力度

7.4.3 新光硅業(yè)不斷提高產(chǎn)品質(zhì)量和環(huán)境管理水平

7.5 洛陽(yáng)中硅高科技有限公司

7.5.1 公司概況

7.5.2 中硅高科堅(jiān)持走自主創(chuàng)新道路

7.5.3 中硅高科多晶硅集成工藝技術(shù)獲新突破

7.5.4 中硅高科年產(chǎn)2000噸多晶硅項(xiàng)目通過(guò)國(guó)家驗(yàn)收

 

圖表目錄：

圖表 主要半導(dǎo)體材料的比較

圖表 半導(dǎo)體材料的主要用途

圖表 全球半導(dǎo)體材料市場(chǎng)對(duì)比分析

圖表 半導(dǎo)體前道工藝中使用的各種材料預(yù)測(cè)

圖表 全球半導(dǎo)體封裝材料市場(chǎng)情況

圖表 全球半導(dǎo)體材料主要區(qū)域市場(chǎng)分析

圖表 分子材料OTFT器件的結(jié)構(gòu)示意圖及器件的轉(zhuǎn)移曲線

圖表 分子材料OTFT器件的穩(wěn)定性測(cè)試

圖表 以單根微米單晶線制備的場(chǎng)效應(yīng)晶體管和電流-電壓曲線

圖表 中國(guó)半導(dǎo)體材料需求量

圖表 2009年4月-2010年4月二氧化硅月度進(jìn)口量變化圖

圖表 單晶硅產(chǎn)業(yè)鏈圖示

圖表 全球太陽(yáng)能電池產(chǎn)量變化

圖表 全球太陽(yáng)能電池市場(chǎng)消耗硅材料量

圖表 世界主要太陽(yáng)能電池用硅片制造商產(chǎn)量一覽表

圖表 世界主要太陽(yáng)能級(jí)單晶硅材料制造商產(chǎn)量一覽表

圖表 我國(guó)太陽(yáng)能級(jí)硅單晶生產(chǎn)狀況

圖表 我國(guó)太陽(yáng)能用單晶硅消耗量

圖表 我國(guó)太陽(yáng)能級(jí)單晶硅材料制造商的生產(chǎn)能力和產(chǎn)量一覽表

圖表 現(xiàn)代微電子工業(yè)對(duì)硅片關(guān)鍵參數(shù)的要求

圖表 各種不同硅片尺寸的價(jià)格

圖表 各種不同工藝節(jié)點(diǎn)的硅片售價(jià)變化圖

圖表 全球硅片出貨量按尺寸計(jì)預(yù)測(cè)

圖表 中國(guó)硅片市場(chǎng)產(chǎn)品結(jié)構(gòu)

圖表 300mm硅片生產(chǎn)線每年的興建數(shù)量與預(yù)測(cè)

圖表 全球芯片數(shù)量與硅片需求量預(yù)測(cè)

圖表 砷化鎵晶體特性

圖表 GaAs晶體的物理特性

圖表 GaAs材料與Si材料的特性比較

圖表 國(guó)內(nèi)砷化鎵材料生產(chǎn)廠家的生產(chǎn)、技術(shù)及開(kāi)發(fā)情況（液封直拉法）

圖表 國(guó)內(nèi)砷化鎵材料生產(chǎn)廠家的生產(chǎn)、技術(shù)及開(kāi)發(fā)情況（水平布里幾曼法）

圖表 國(guó)內(nèi)砷化鎵材料生產(chǎn)廠家的生產(chǎn)、技術(shù)及開(kāi)發(fā)情況（垂直梯度凝固法）

圖表 我國(guó)砷化鎵材料發(fā)展戰(zhàn)略

圖表 砷化鎵電子器件和光電子器件應(yīng)用領(lǐng)域

圖表 砷化鎵器件的應(yīng)用領(lǐng)域

圖表 SiC材料的優(yōu)良特性

圖表 1.6*1016cm-3N摻雜4H-SiC肖管反向漏電流溫度特性

圖表 垂直碳化硅功率JFET結(jié)構(gòu)（不需重新外延）

圖表 垂直碳化硅功率JFET結(jié)構(gòu)（需重新外延）

圖表 氮化鎵HEMT器件（硅襯底）

圖表 總體半導(dǎo)體營(yíng)業(yè)收入最終估值（按地區(qū)細(xì)分）

圖表 25大半導(dǎo)體供應(yīng)商全球營(yíng)業(yè)收入最終排名

圖表 中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)銷(xiāo)售額對(duì)比

圖表 TI公司的業(yè)務(wù)轉(zhuǎn)型

圖表 富士通非常重視GaN功率半導(dǎo)體的發(fā)展

圖表 世界太陽(yáng)能電池產(chǎn)量

圖表 中國(guó)多晶硅產(chǎn)能規(guī)劃

圖表 中國(guó)光伏建議裝機(jī)量

圖表 2011年1-12月有研硅股主要財(cái)務(wù)數(shù)據(jù)

圖表 2011年1-12月有研硅股非經(jīng)常性損益項(xiàng)目及金額

圖表 2009年-2011年有研硅股主要會(huì)計(jì)數(shù)據(jù)和主要財(cái)務(wù)指標(biāo)

圖表 2011年1-12月有研硅股主營(yíng)業(yè)務(wù)分行業(yè)、產(chǎn)品情況

圖表 2011年1-12月有研硅股主營(yíng)業(yè)務(wù)分地區(qū)情況

圖表 2012年1-12月有研硅股主要財(cái)務(wù)數(shù)據(jù)

圖表 2012年1-12月有研硅股非經(jīng)常性損益項(xiàng)目及金額

圖表 2010年-2012年有研硅股主要會(huì)計(jì)數(shù)據(jù)和主要財(cái)務(wù)指標(biāo)

圖表 2012年1-12月有研硅股主營(yíng)業(yè)務(wù)分行業(yè)、產(chǎn)品情況

圖表 2012年1-12月有研硅股主營(yíng)業(yè)務(wù)分地區(qū)情況

圖表 2013年1-6月有研硅股主要會(huì)計(jì)數(shù)據(jù)及財(cái)務(wù)指標(biāo)

圖表 2013年1-6月有研硅股非經(jīng)常性損益項(xiàng)目及金額

圖表 2011年1-12月中環(huán)股份主要財(cái)務(wù)數(shù)據(jù)

圖表 2011年1-12月中環(huán)股份非經(jīng)常性損益項(xiàng)目及金額

圖表 2009年-2011年中環(huán)股份主要會(huì)計(jì)數(shù)據(jù)和主要財(cái)務(wù)指標(biāo)

圖表 2011年1-12月中環(huán)股份主營(yíng)業(yè)務(wù)分行業(yè)、產(chǎn)品情況

圖表 2011年1-12月中環(huán)股份主營(yíng)業(yè)務(wù)分地區(qū)情況

圖表 2012年1-12月中環(huán)股份主要財(cái)務(wù)數(shù)據(jù)

圖表 2012年1-12月中環(huán)股份非經(jīng)常性損益項(xiàng)目及金額

圖表 2010年-2012年中環(huán)股份主要會(huì)計(jì)數(shù)據(jù)和主要財(cái)務(wù)指標(biāo)

圖表 2012年1-12月中環(huán)股份主營(yíng)業(yè)務(wù)分行業(yè)、產(chǎn)品情況

圖表 2012年1-12月中環(huán)股份主營(yíng)業(yè)務(wù)分地區(qū)情況

圖表 2013年1-6月中環(huán)股份主要會(huì)計(jì)數(shù)據(jù)及財(cái)務(wù)指標(biāo)

圖表 2013年1-6月中環(huán)股份非經(jīng)常性損益項(xiàng)目及金額

圖表 峨半廠主要產(chǎn)品產(chǎn)量變化