雖然,臺(tái)積電很早就說(shuō)自己的的10nm工藝已進(jìn)入量產(chǎn),但是到目前為止,還沒(méi)有一款基于臺(tái)積電10nm工藝的終端產(chǎn)品正式發(fā)布。此前有消息稱(chēng)臺(tái)積電在10nm良率上遇到了一些問(wèn)題。所以,相應(yīng)終端產(chǎn)品的面世可能還需要一段時(shí)間。目前16nm工藝仍然是臺(tái)積電的主力。不過(guò),很快傳聞中的臺(tái)積電“12nm”也即將出爐。

　　根據(jù)最新的消息顯示,NVIDIA針對(duì)自動(dòng)駕駛及AI運(yùn)算市場(chǎng)所推出的Xavier SoC處理器當(dāng)中的新一代Volta GPU,將使用臺(tái)積電的“12nm”工藝,預(yù)計(jì)最快將在今年下半年量產(chǎn)。

　　不過(guò)需要注意的是,臺(tái)積電的12nm工藝跟GlobalFoundries的12nm FD-SOI工藝不同,它實(shí)際上是現(xiàn)有16nm工藝的改進(jìn)版。

　　據(jù)爆料,臺(tái)積電即將推出的所謂的12nm,其實(shí)是現(xiàn)有16nm工藝的第四代縮微改良版本,具有更低的漏電流及成本,并且線(xiàn)寬微縮能力已領(lǐng)先三星14nm。而改稱(chēng)12nm的目的是反擊三星、GlobalFoundries、中芯國(guó)際等對(duì)手的14/12nm工藝優(yōu)勢(shì),牢牢控制10-28nm之間的代工市場(chǎng)。

　　其實(shí)這樣的數(shù)字游戲在半導(dǎo)體行業(yè)由來(lái)已久,最開(kāi)始是三星在與臺(tái)積電的競(jìng)爭(zhēng)當(dāng)中搶先將推出了14nm(實(shí)際上20nm工藝),所以隨后臺(tái)積電隨后也被迫跟進(jìn)玩起了數(shù)字游戲。

　　然而這樣一來(lái),GlobalFoundries去年推出的12nm FD-SOI工藝就變得有點(diǎn)尷尬了。

　　資料顯示,GlobalFoundries的12nm FD-SOI工藝能夠以低于16nm FinFET的功耗和成本提供等同于10nm FinFET的性能。支持全節(jié)點(diǎn)縮放,性能比現(xiàn)有FinFET工藝提升了15%,功耗降低了50%。而掩膜成本則比少于10nm FinFET工藝減少40%!

　　也就是說(shuō),GlobalFoundries在成本、功耗等方面都要優(yōu)于臺(tái)積電的16nm。但是現(xiàn)在,臺(tái)積電的第四代16nm也改名叫“12nm”了,顯然這在宣傳和營(yíng)銷(xiāo)上給人的感覺(jué)是二者在工藝水平上沒(méi)有什么區(qū)別。而且,臺(tái)積電的招牌比GlobalFoundries也要更響一些。另外,GlobalFoundries的12nm FD-SOI的量產(chǎn)時(shí)間可能要比臺(tái)積電的“12nm”更晚,這些都將使得GlobalFoundries的12nm FD-SOI工藝在后續(xù)的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)當(dāng)中可能將處于被動(dòng)的局面。

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