內存市場前景旺未來5年成長最為強勁

2017年1月9日來源：MoneyDJ新聞編輯：zhoujiale 繁體

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內存市場日益擴大，研調機構 IC Insights 最新報告預測，DRAM 與 NAND 閃存等，未來 5 年年均復合增長率（CAGR）可達 7．3％，產值將從去年的 773 億美元擴增至 1，099 億美元。

　　內存市場日益擴大，研調機構ICInsights最新報告預測，DRAM與NAND閃存等，未來5年年均復合增長率（CAGR）可達7．3％，產值將從去年的773億美元擴增至1，099億美元。

內存市場，內存市場發(fā)展前景

　　報告將半導體區(qū)分成邏輯、內存，模擬與微組件（microcomponents）IC等4種類型，在5年的預測區(qū)間內，以內存成長力道最為強勁，模擬IC以5．2％次之，微組件為4．4％，至于臺積電擅長代工的邏輯IC則僅有2．9％。
　　
　　ICInsights指出智能手機等移動設備對低功耗內存需求激增，是驅動DRAM與NAND閃存成長的主要動能。除此之外，使用NAND閃存的固態(tài)硬盤（SSD）在數(shù)據(jù)中心、筆電的應用也日趨吃重。
　　
　　三星6日公布2016年第四季財報，在Note7自燃召回的狀況下，營益竟然還能逆勢跳增近80％，就是因為受惠于內存價格大漲，將利潤空間拉大。

內存市場內存市場發(fā)展前景

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