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華為“閃存門”背后:我國存儲器自主研發(fā)能力亟待加強

2017年5月5日     來源:中國智能制造網(wǎng)      編輯:ZhouXun      繁體
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唯有自主才能做到可控。面對不可控的閃存市場,最好的辦法就是打造屬于我們自己的閃存。

近日,華為因P10閃存門事件被推上了輿論的風口浪尖。而這次“閃存門”背后所暴露出來的問題,其實是整個存儲器市場現(xiàn)在所面臨的窘境——閃存從去年下半年就開始緊張,并且這種緊張缺貨的狀態(tài)可能還會延續(xù)一年。

華為“閃存門”背后:我國存儲器自主研發(fā)能力亟待加強

近日華為因P10閃存門事件被推上了輿論的風口浪尖,部分媒體指出華為最新旗艦P10/P10 Plus部分使用高速UFS閃存、部分使用低速eMMC閃存,而這兩種閃存在讀取速度上有較大的差異。為何對質(zhì)量把控一向嚴格的華為會出現(xiàn)這種問題,是故意為之還是另有隱情?

閃存門事件發(fā)生后,華為第一時間給出了解釋,表示“近期個別社交網(wǎng)絡上關于P10 / P10 Plus閃存選用問題,我們同樣與業(yè)界多家優(yōu)秀的閃存解決方案供應商緊密合作,共同保障產(chǎn)品品質(zhì)及用戶體驗,同時也是為了保障供應的穩(wěn)定?!敝鹱种鹁溥M行分析,華為這番話的意思大概是,P10確實存在更換閃存一事,但是這也是為了保障穩(wěn)定供應,不得已而為之。

從華為的回應來看,這次在“閃存門”中所暴露出來的問題,其實是整個存儲器市場現(xiàn)在所面臨的窘境。華為消費者業(yè)務CEO余承東第二次回應說:“關于P10系列手機閃存同時采用UFS和EMMC兩種方案的問題,核心原因是供應鏈閃存的嚴重缺貨,至今華為手機的Flash存儲仍然在缺貨之中?!?/p>

由于SSD硬盤和手機搶貨,閃存從去年下半年就開始緊張,并且這種緊張缺貨的狀態(tài)可能還會延續(xù)一年。但是閃存市場資源幾乎被少數(shù)廠家掌控,目前核心技術依然掌握在三星、SK海力士、美光、閃迪以及東芝這些廠商手中。 NAND閃存市場幾乎被上述五大廠瓜分。其中,韓系兩大廠商都分別占據(jù)第一和第五的位置,三星擁有33.6%的市場份額,SK海力士為10.1%,而國內(nèi)還是個空白。

雖然三星、SK海力士、東芝等廠商都在生產(chǎn),但由于客戶多,尤其是UFS這樣的高檔閃存更是缺貨。這也是東芝要出售內(nèi)存業(yè)務時,蘋果使出混身解數(shù)聯(lián)合富士康也要往里面摻一腳的最大原因。

業(yè)內(nèi)人士預計,進入2018年以后,存儲器短缺的問題將不再那么嚴重,代工能力也將持續(xù)改善。這將迅速導向“企業(yè)級硬盤”產(chǎn)品,以及巨大容量的儲存SSD (可能使用四位元單元的QLC)。另一方面,隨著存儲器產(chǎn)業(yè)快速過渡至SSD,以及移動至小型儲存裝置與超融合的基礎架構,預計RAID/混合陣列架構衰退的速度將會更快。

唯有自主才能做到可控。面對不可控的閃存市場,最好的辦法就是打造屬于我們自己的閃存。近期,我國在NAND閃存領域取得一定進展,據(jù)央視報道我國首個存儲器基地項目近日在武漢東湖高新區(qū)正式開工,該基地總投資240億美元,計劃于2020年全面建成,建成后年產(chǎn)值將超過100億美元。

據(jù)悉,國家存儲器基地項目位于武漢東湖高新區(qū)武漢未來科技城,將建設3座全球單座潔凈面積最大的3D NAND Flash FAB廠房、一座總部研發(fā)大樓和其他若干配套建筑,其核心生產(chǎn)廠房和設備每平方米的投資強度超過3萬美元。項目一期計劃2018年建成投產(chǎn),2020年完成整個項目,總產(chǎn)能將達到30萬片/月,年產(chǎn)值將超過100億美元。

可以說,此次華為P10閃存門事件,不僅給了華為一個教訓,對其他中國手機廠商而言也是一次警醒。不可否認,更換閃存是華為自身因素影響,但更深層次的原因是核心零部件受制于人,結果就是被人任意拿捏而無法反抗。因此,只有我們高端制造業(yè)崛起,才能徹底避免類似事件的發(fā)生。

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