持續(xù)低迷的內(nèi)存產(chǎn)業(yè)景氣讓所有的供貨商荷包大失血，他們之中有不少都面臨巨額虧損；而且奇夢達(Qimonda)與Spansion已經(jīng)分別申請破產(chǎn)。誰會是下一個？產(chǎn)業(yè)觀察家現(xiàn)在懷疑臺灣的眾家DRAM制造商可能撐不下去，甚至認為就連Elpida、Hynix與Micron等大廠也命在旦夕。

    不過也有人預期，內(nèi)存產(chǎn)業(yè)將在09年第四季或2010年第一季復蘇；其它人則不能確定，因為市場需求與內(nèi)存平均銷售價格(ASP)仍然疲軟。

    “內(nèi)存產(chǎn)業(yè)經(jīng)營模式已經(jīng)崩解�！币患倚聞�(chuàng)非揮發(fā)性內(nèi)存供貨商UnitySemiconductor董事長、總裁暨執(zhí)行長DarrellRinerson表示，供貨商們正在為生存而相互斗爭，而誰將能成為產(chǎn)業(yè)復蘇的最后幸存者，將取決于供貨商的心態(tài)。

    內(nèi)存產(chǎn)業(yè)的低迷時期已經(jīng)持續(xù)多年，該市場衰退的原因包括需求不振、價格疲軟以及供應過剩。眼前的蕭條情況沒什么特殊之處，需求水平仍然低落，而且最近剛有過一波無節(jié)制的、不理性的產(chǎn)能擴充潮發(fā)生，尤其是在臺灣。

    但Rinerson認為，這一次內(nèi)存產(chǎn)業(yè)衰退在某些方面又與過去的景氣循環(huán)時期有所不同。在過去，景氣大好時能讓供貨商賺到不少現(xiàn)金，可直接用于新資本設備的添購或產(chǎn)品的創(chuàng)新，而現(xiàn)在，榮景雖能帶來現(xiàn)金，作為資本支出卻嫌太少：“供貨商沒有足夠的現(xiàn)金來實現(xiàn)創(chuàng)新。”

    對Rinerson來說，產(chǎn)業(yè)前景是黯淡無光的，沒有征兆顯示內(nèi)存產(chǎn)業(yè)模式能夠被修復，尤其多數(shù)內(nèi)存業(yè)者都負債累累，不再是創(chuàng)新者；當內(nèi)存供貨商們無法逃出嚴重的負債循環(huán)，內(nèi)存產(chǎn)業(yè)模式也就會持續(xù)往下墮落。

    半導體分析師鼓吹內(nèi)存制造商整并已有好一段時間，他們已經(jīng)將政府金援策略擱在一邊，認為只有整并才能使內(nèi)存產(chǎn)業(yè)恢復獲利與健全；分析師并指出，內(nèi)存供貨商必須在產(chǎn)能擴充與產(chǎn)品定價上采取更理性的態(tài)度。

    這些呼吁大多數(shù)是直指臺灣的內(nèi)存供貨商，但當?shù)氐腄RAM廠已對整并表示抗拒。

    幸好內(nèi)存產(chǎn)業(yè)還有一線生機──據(jù)Rinerson表示，新一代內(nèi)存技術已經(jīng)邁入成熟階段，特別是服務器等系統(tǒng)應用的儲存級內(nèi)存(storage-classmemories)；所謂的儲存級內(nèi)存，號稱是可作為處理器與系統(tǒng)磁盤之間I/O間距(gap)之橋梁的新一代組件。

    儲存級內(nèi)存包括部份(非全部)所謂的通用內(nèi)存(universalmemory’)，例如FRAM、MRAM、相變化(phase-change)、RRAM等新技術；不過這些新一代技術大部份距離實現(xiàn)還有數(shù)年，有人甚至懷疑這些新技術是否能真的脫離原型階段進入量產(chǎn)。

    因此產(chǎn)業(yè)顧問公司JLCAssociates總裁JimCantore認為，大多數(shù)的新內(nèi)存技術恐怕暫時難以擺脫窘境，而現(xiàn)有的內(nèi)存技術如DRAM、NAND與NOR，將繼續(xù)擴張它們的市場版圖并開創(chuàng)新應用。

    新一代內(nèi)存技術的開發(fā)者還在積極開發(fā)產(chǎn)品，他們也有很好的理由──市場研究機構Web-FeetResearch執(zhí)行長AlanNiebel估計，儲存級內(nèi)存市場將在09年由0達到5,000萬美元，甚至在2015年擴張到60億美元。

    在該領域也有不少廠商，UnitySemiconductor就是其中之一，該公司的CMOx技術是以一種稱為導電金屬氧化物(conductivemetaloxides)的新材料為基礎，據(jù)說能導致離子運動；利用該技術，UnitySemiconductor開發(fā)出一種被動式可重復讀寫交叉點內(nèi)存數(shù)組(passiverewritablecrosspointmemoryarray)，號稱在內(nèi)存單元內(nèi)不需要晶體管。

    另外還有一家新創(chuàng)公司QsSemiconductor不久前神秘兮兮地出現(xiàn)，說他們正在開發(fā)一種以碳硅(carbon-silicon)或碳化硅(siliconcarbide，SiC)材料為基礎的、采用硅基板的非揮發(fā)性內(nèi)存。

    另兩家內(nèi)存大廠Numonyx與SamsungElectronics，不久前也宣布將連手開發(fā)相變化內(nèi)存技術，預計今年可訂出共同規(guī)格，并在2010年推出產(chǎn)品。

    新組件也需要新的標準；Numonyx表示，以JEDEC42.6為基礎的LPDDR2接口將成為新一代1Gbit、45nm制程內(nèi)存的標準，目標應用于手機、嵌入式內(nèi)存與高階運算裝置。手機大廠Nokia也支持該標準；據(jù)了解，該公司計劃在手機內(nèi)使用相變化內(nèi)存技術，這也是促使Numonyx與Samsung策略聯(lián)盟的主因。

    至于傳統(tǒng)內(nèi)存技術的前景，狀況則有些復雜；分析師表示，包括ARM、Denali、Synopsys、Virage等內(nèi)存接口IP供貨商的業(yè)績，目前已看到好轉。NOR/NAND閃存市場預計在09年達到185億美元規(guī)模，較08年衰退9.5%。

    Web-Feet的Niebel預期，整體內(nèi)存產(chǎn)業(yè)的衰退情況將在今年第四季或明年第一季終止，內(nèi)存價格已經(jīng)趨于穩(wěn)定，多個應用領域也開始看到微幅需求成長。JLC的Cantore補充指出：“NAND市場的恢復速度會比DRAM市場來得快�！�

    在DRAM市場部份，LazardCapitalMarkets分析師DanielAmir表示，DRAM價格平穩(wěn)，若狀況持續(xù)，DRAM廠商可能會開始提升產(chǎn)能；目前整體DRAM庫存水位也在低點。

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