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半導(dǎo)體封裝用環(huán)氧模塑料面臨綠色考驗(yàn)
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http://mamogu.com 發(fā)稿日期:2008-4-16
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其次是來(lái)自無(wú)鉛焊料的挑戰(zhàn)。自然界中的酸雨會(huì)把焊錫中的含鉛材質(zhì)溶解出來(lái),經(jīng)由食物及飲水鉛會(huì)在人體內(nèi)積累,引起重金屬污染、進(jìn)而危害到人體健康。因此含鉛助劑也成為歐盟WEEE嚴(yán)禁使用的品種。在符合環(huán)保需求下,無(wú)鉛焊料的開(kāi)發(fā)已成為必然趨勢(shì)。目前開(kāi)發(fā)的無(wú)鉛焊料的熔點(diǎn)相對(duì)較高,因此再流焊峰值溫度也從目前含鉛焊料的230~245℃升高到250~265℃。無(wú)鉛化是電子封裝業(yè)的必然趨勢(shì),然而要真正實(shí)現(xiàn)封裝的無(wú)鉛化,使其從研發(fā)走向工業(yè)生產(chǎn)、從小批量生產(chǎn)轉(zhuǎn)向大批量生產(chǎn),在電子工業(yè)領(lǐng)域徹底取代錫鉛焊接,需要考慮各方面的相容性問(wèn)題,這主要包括:材料相容性(焊料及其他輔助材料)、工藝相容性(回流、檢測(cè)、返修工藝)、設(shè)計(jì)相容性、可靠性相容性(熱疲勞、機(jī)械應(yīng)力)、設(shè)備相容性及成本問(wèn)題。綜合考慮各因素,處理好各方面的相容性,才能順利實(shí)現(xiàn)電子封裝向無(wú)鉛化的轉(zhuǎn)變。
最后是來(lái)自封裝工藝的挑戰(zhàn),近年來(lái)半導(dǎo)體封裝技術(shù)領(lǐng)域內(nèi)正經(jīng)歷著2次重大變革,并蘊(yùn)藏著第3次變革。
第1次變革出現(xiàn)在20世紀(jì)70年代初期,其典型特征在于封裝形式從插入式(如DIP)向表面貼裝式(如QFP)轉(zhuǎn)變;第2次變革出現(xiàn)在20世紀(jì)90年代中期,其典型特征在于從四邊引腳型表面貼裝(如QFP),向平面陣列型表面貼裝(如BGA)的轉(zhuǎn)變。而出現(xiàn)于21世紀(jì)初期的第3次變革已初露端倪,其以芯片尺寸封裝(CSP)、三維疊層封裝以及全硅圓片型封裝為典型特征。
在這3次變革過(guò)程中,封裝材料所扮演的角色將越來(lái)越重要,其已被視為挖掘集成電路極限(最優(yōu))性能的決定性因素。新型封裝技術(shù)的發(fā)展對(duì)于環(huán)氧塑封料提出了如下基本性能要求:高耐熱性、低吸潮性、低應(yīng)力以及低成本。同許多其它有機(jī)高分子材料一樣,環(huán)氧樹(shù)脂也易于燃燒,因此在使用過(guò)程中通常都要加入阻燃劑,傳統(tǒng)環(huán)氧塑封料很難同時(shí)滿足上述要求,因此研制開(kāi)發(fā)高性能環(huán)氧塑封料已勢(shì)在必行。
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