過去，該研究小組因建立了我國第一條高端硅基集成電路材料SOI晶圓片生產(chǎn)線，實現(xiàn)了4～6英寸SOI材料產(chǎn)業(yè)化，解決了我國SOI材料的有無問題，而獲得國家科技進(jìn)步獎一等獎。

     該研究小組的人員并沒有滿足所取得的成績，面對國內(nèi)外集成電路技術(shù)向大直徑晶圓片升級換代的大趨勢，又設(shè)立了攻關(guān)8英寸大直徑SOI晶圓片的課題。在開發(fā)過程中，研究人員克服了硬件條件不足的困難，突破了清洗、鍵合、加固、研磨和拋光等一系列關(guān)鍵技術(shù)。通過改造現(xiàn)有設(shè)備，實現(xiàn)了8英寸硅片的旋轉(zhuǎn)式單片清洗工藝；自主設(shè)計開發(fā)了大尺寸晶片鍵合平臺，在此基礎(chǔ)上實現(xiàn)了8英寸晶片鍵合，并達(dá)到了對鍵合過程和鍵合質(zhì)量的實時監(jiān)控；通過對現(xiàn)有設(shè)備的升級改造，實現(xiàn)了鍵合晶片的加固；經(jīng)過大量的研磨工藝實驗，反復(fù)比較研磨過程粗磨、精磨工藝中砂輪轉(zhuǎn)速等工藝參數(shù)對晶片的影響，確定出較優(yōu)研磨工藝；隨后，在現(xiàn)有拋光工藝基礎(chǔ)上，優(yōu)化拋光漿料配比，實現(xiàn)了8英寸SOI晶片的精細(xì)拋光。

     有關(guān)專家認(rèn)為，8英寸SOI晶圓片的成功開發(fā)，標(biāo)志著王曦領(lǐng)導(dǎo)的研究開發(fā)小組已經(jīng)掌握了大尺寸鍵合SOI晶片制備的關(guān)鍵技術(shù)，為大尺寸鍵合SOI晶片的產(chǎn)業(yè)化打下了堅實基礎(chǔ)。

    據(jù)介紹，在極大規(guī)模集成電路國家重大科技專項中，宏力半導(dǎo)體公司和華潤微電子等8英寸集成電路制造代工企業(yè)安排了8英寸SOI先進(jìn)電路的研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化項目，急需本土化的8英寸SOI襯底材料配套。上海微系統(tǒng)所和上海新傲公司聯(lián)合開發(fā)的8英寸鍵合SOI晶圓片正是適應(yīng)了這些需求，具有廣闊的市場前景。

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